Арцём ФЕШЧАНКА — адзін з таленавітых маладых вучоных БДУІР, які падае вялікія надзеі.
Гэта і нядзіўна, бо яго рэцэпт поспеху ў працавітасці і ўпартасці.
— Ніколі нельга апускаць рукі, калі нешта не атрымліваецца. Як паказвае практыка, з першага разу нічога не выходзіць, трэба спрабаваць зноў і зноў, бо толькі так зможаш дасягнуць сваёй мэты. Я перакананы: хто хоча — той усяго даб’ецца, — падкрэсліў Арцём Аляксандравіч.
Ён скончыў факультэт камп’ютарнага праектавання, па размеркаванні застаўся працаваць на кафедры праектавання інфармацыйна-камп’ютарных сістэм БДУІР. Хоць быў у яго варыянт пайсці працаваць у Дэпартамент аховы МУС, дзе ён праходзіў пераддыпломную практыку. Аднак перавагу аддаў навуцы і паступіў у магістратуру.
— На 5 курсе Віталь Віктаравіч Харошка далучыў мяне да навуковага жыцця. У час навучання ў магістратуры і далей у аспірантуры я працаваў пад кіраўніцтвам ганаровага прафесара доктара хімічных навук Івана Васільевіча Боднара. Мае даследаванні былі накіраваны на атрыманне шматкампанентных паўправадніковых матэрыялаў для прыбораў электроннай тэхнікі і вывучэнне іх уласцівасцей, — расказаў А.Фешчанка, які сёння ўжо дацэнт на роднай кафедры.
За 7 гадоў навуковай дзейнасці Арцём Аляксандравіч апублікаваў больш за 30 работ. Сем артыкулаў выйшлі ў прэстыжных навуковых выданнях, уключаных у базы Scopus і Web of Science. У 2021 годзе ён атрымаў патэнт на карысную мадэль для росту монакрышталяў злучэнняў групы A I In5S8, In2S3 і цвёрдых раствораў на іх аснове. Гэтая мадэль выкарыстоўваецца для росту буйнаблочных паўправадніковых монакрышталяў з пэўнымі фізіка-хімічнымі ўласцівасцямі. Вынікам праведзенай навуковай дзейнасці стала абарона кандыдацкай дысертацыі “Вырошчванне і ўласцівасці паўправадніковых монакрышталяў цвёрдых раствораў (In2S3)х·(AgIn5S8)1-х”.
Чытайце матэрыял Вольгі Антоненкавай у нумары ад 10 лютага 2023 года.
